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第156章 晶圆良率跃升至70%(2 / 2)

中控室里爆发出巨大的欢呼声!孙浩与老周用力拥抱,年轻的工程师们击掌相庆,许多人眼角闪铄着激动的泪光。

它意味着天权3号芯片的大规模生产,拥有了坚实的工艺基础!

张京京用力拍了拍林薇的肩膀,语气中满是敬佩:

“林总,你们这不仅是提升了良率,更是给我们‘追光’团队争取了宝贵的时间!这证明了,即使设备暂时受限,通过工艺的极致优化,我们依然能爆发出强大的战斗力!”

陈醒从深城打来视频电话,背景是总部同样沸腾的办公室:

“林薇,孙博士,老周,还有所有参与攻坚的同事们!你们创造了奇迹!这是自主创新精神最完美的体现!集团将授予你们‘总裁特别奖’,并立即全面推广ist工艺!”。这说明在面对更高深宽比的复杂图形时,我们的工艺还有优化空间。

她立刻要求团队针对高密度局域,激活新一轮的参数微调,目标是让良率分布更加均匀,向75发起冲击。

也就在这个充满胜利喜悦的夜晚,林薇的个人工作邮箱收到了一封匿名邮件。

邮件标题是“关于贵司ist工艺在大尺寸硅片应用的一点不成熟建议”。

正文没有任何寒喧,只有几句简短的技术描述,指向一个内核问题:当硅片尺寸从8英寸迈向12英寸时,ist工艺可能因溶液流动和兆声场分布不均,导致边缘良率显著下降。

附件是一份更详细的技术摘要,提出了一个名为 “边缘电场辅助与流场协同控制” 的解决方案雏形。

这份邮件显示出发件人对ist工艺原理惊人的理解深度,绝非泛泛而谈。

林薇的眉头微微蹙起,她将邮件转发给了陈醒和法务总监周明,并附言:

“技术建议极具洞察力,直指我们下一阶段的潜在瓶颈。但发件人身份可疑,需警剔技术陷阱或商业间谍。建议彻查。”

陈醒的回复很快到来:

“邮件已阅。技术方向值得高度关注。巧合的是,我们刚收到消息,三桑电子负责先进封装与晶圆级工艺的一位资深首席工程师,于上周突然提交辞呈,原因不明。周明,优先从安全角度介入调查。”

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