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第192章 团队攻14nmFinFET(1 / 3)

华夏芯谷14n研发中心的灯光,与euv实验室的孤勇之光不同,这里的光芒密集而灼热。

数百台服务器组成的计算集群昼夜不休,散热风扇的轰鸣交织成一首沉闷的战歌,屏幕上滚动的芯片设计图、仿真曲线和良率分析报告,构成了这场“螺蛳壳里做道场”攻坚战的内核战场。

梁志远的眼睛布满血丝,下巴上冒出了青色的胡茬。

他将一件厚厚的冲锋衣搭在椅背上,手里攥着一份刚打印出来的dt仿真报告,指节因用力而微微发白。

“章宸博士,你看这里。”

他对着视频通话界面挥手,将报告凑近摄象头,

“按照我们‘设计换良率’的思路,把高性能cpu内核和部分缓存拆分,通过chiplet集成,仿真良率从18提升到了35,但晶体管漏电率超标了12,而且芯粒间的互联延迟比预期高了5纳秒。这性能损失……太大了。”

视频那头的章宸同样面色憔瘁,他身后的白板上写满了关于ffet鳍片宽度与栅氧厚度的复杂公式。

“漏电率问题出在duv多重图形的掺杂工艺上,”

章宸的手指在触控板上滑动,调出一份三维晶体管结构图,

“三重图形导致的离子注入深度不均匀,我们之前的仿真模型低估了这种边缘效应。。你让团队按这个新结构重新跑仿真。”

“牺牲性能?”

旁边一位年轻工程师忍不住插话,他叫陈默,是“星火计划”的优秀学员,脸上带着对极致性能的执着,

“章博士,这样一来,我们的cpu单核频率会不会比水果的w3芯片差太多?市场能接受吗?”

章宸看着屏幕里的年轻人,眼神温和却坚定:

“陈默,我们现在的首要目标是‘能造出来、能量产’。14n工艺对我们而言,是从0到1的生死线,不是和巨头在极限性能上赛跑的舞台。先解决有无,再谈优劣。等良率稳定了,我们可以通过架构优化、甚至下一代工艺把性能追回来,但良率上不去,一切都是空谈。”

梁志远拍了拍陈默的肩膀:

“章博士说得对。用duv走多重图形,本身就是逆流而上,我们必须学会妥协,在性能、功耗、良率这个‘不可能三角’里,找到属于我们自己的最佳平衡点。”

陈默深吸一口气,点了点头,立刻转身投入到仿真参数的调整中。实验室里再次只剩下键盘敲击声和服务器风扇的嗡鸣。。

“有进展!”

团队里响起一阵压抑的欢呼。

他打开良率分析系统,调出晶体管失效分布图,屏幕上红色的失效热点,如同刺眼的警告,主要集中在cpu内核的栅极局域和芯粒互联的微焊盘处。

“栅极局域的失效,根子在光刻胶。”

一位工艺工程师分析道,

“我们现在用的国产光刻胶,在14n节点的线宽均匀性和边缘粗糙度上,经过三次曝光后,还是差了口气。”

“互联焊盘的问题,在于duv多重图形导致的层间对准误差累积。”

另一位封装专家补充,

“每次曝光都有纳米级的偏差,叠加之去,焊盘的共面性就超标了,直接影响信号完整性和连接可靠性。”

两个内核问题,如同两只拦路虎,让实验室的气氛再次凝重。

梁志远立刻拨通了林薇的电话,语速急促:

“林总,我们被卡住了:一是14n级光刻胶的线宽均匀性,二是多重图形的层间对准误差。需要供应链和工艺团队的紧急支持!”

林薇那边的背景音同样嘈杂:

“光刻胶,‘火炬’攻坚组联合沪市化学所研发的新一代产品刚完成中试,样品明天空运到芯谷。对准误差,华科院自动化所开发的基于‘小芯’ai算法的视觉对准系统已通过验证,我让他

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